技術編號：3466084
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于納米無機非金屬半導體與光電材料科學與工程，具體涉及一種利用去合金法制備多孔氮化鋁(AlN)或多孔氮化鎵(GaN)微粒的方法。背景技術具有孔結構的多孔AlN或GaN微粒及以其為基形成的多孔III族合金氮化物微粒因高的比表面積、增強的光電響應特性、增強的非線性光學特性以及光催化特性等，在儲氫、燃料電池、光催化裂解水、紫外探測與傳感器以及非線性光學等領域具有極大的應用前景。故對多孔AlN或GaN微粒的研究已成為多孔半導體研究領域的一個重要研究熱點。然而...
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