技術(shù)編號：3465146
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及硅的精制或除雜方法，即從較低純度的硅獲得較高純度的、符合太陽能級或半導(dǎo)體級純度的晶硅的方法，適用于從各種純度的硅或含硅材料制造高純硅材料。 也可用于硅的一般除雜。背景技術(shù)用于制造半導(dǎo)體或電子元器件、例如集成電路芯片、晶閘管芯片、光伏電池片的硅晶片，需要使用高純硅材料，其純度通常在6N 7N以上，和極低的雜質(zhì)含量，一般單一金屬雜質(zhì)低于0. lppm，氧、碳在數(shù)ppm，硼、磷等電性雜質(zhì)在0. 1 0. 5ppm以下。高純硅的工業(yè)生產(chǎn)，目前主要采用改良...
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