技術(shù)編號：3440418
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體無機(jī)材料領(lǐng)域，特別是涉及一種具有中空結(jié)構(gòu)的氧化鋅的制備 方法。背景技術(shù) 氧化鋅(ZnO)在室溫下的禁帶寬度為3. 37eV,是一種典型的直接寬帶隙半導(dǎo)體材 料。納米氧化鋅由于具有尺寸效應(yīng)、量子限域效應(yīng)以及表面效應(yīng)等，具有一系列優(yōu)異的光、 電、磁學(xué)特性，在平板顯示器、場效應(yīng)晶體管、氣敏傳感器、發(fā)光二極管、太陽能電池等方面 有著重要的應(yīng)用。近年來，由于納米氧化鋅紫外激光器以及其光電、壓電等特性的發(fā)現(xiàn)，進(jìn) 一步拓寬了其應(yīng)用范圍。由于納米材料的結(jié)構(gòu)...
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