技術(shù)編號:3436789
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及通過在流化床反應(yīng)器中將反應(yīng)氣體沉積在硅顆粒上而制 備高純度多晶硅顆粒的方法。背景技術(shù)從很多刊物和專利中已知了通過氣相中的固體沉積制備硅顆粒的流 化床方法。簡單地說,在反應(yīng)器中,在流化床沉積期間,首先引入硅顆粒床, 將該顆粒床通過氣體流化并通過適合的裝置加熱到沉積反應(yīng)所需的溫度。包含在氣體中的含硅化合物,通常為硅烷SiH4或鹵代硅垸SiHxXy (Cl、 Br、 I、 F),在熱解反應(yīng)中在熱顆粒表面分解形成沉積于流化床中 的硅顆粒表面的單質(zhì)硅,并導(dǎo)...
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