技術(shù)編號(hào)：3424931
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體薄膜、半導(dǎo)體薄膜的制備方法和具有半導(dǎo)體薄膜的半導(dǎo)體元件。 詳細(xì)來(lái)說(shuō)，涉及通過(guò)將含有非晶質(zhì)氧化物的薄膜暴露于氧等離子體而得到的半導(dǎo)體薄 膜、半導(dǎo)體薄膜的制備方法和具有半導(dǎo)體薄膜的半導(dǎo)體元件。背景技術(shù)目前，作為構(gòu)成晶體管等的半導(dǎo)體，已知有例如含有銦、鎵、錫等的氧化物的半 導(dǎo)體薄膜。該半導(dǎo)體薄膜與硅等的半導(dǎo)體相比，可以在低溫下成膜，因此有可將不耐 熱的樹(shù)脂材料作為基板進(jìn)行元件設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)(例如參考專利文獻(xiàn)1至專利文獻(xiàn)7)。在專利文獻(xiàn)1至專利文獻(xiàn)7中...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。