技術(shù)編號(hào):3424517
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)作為一般的使薄膜成膜的方法之一周知有濺射法。所謂濺射法是通過對濺射靶進(jìn)行濺射得到薄膜的方法,由于大面積化容易、可以高效率地使高性能的膜成膜,所以被用于工業(yè)。另外,近年作為濺射的方式還周知有在反應(yīng)性氣體中進(jìn)行濺射的反應(yīng)性濺射法、和在靶的背面設(shè)置磁鐵而謀求薄膜形成高速化的磁控管濺射法等。在這樣的濺射法中所用的薄膜中,特別是氧化銦-氧化錫(ln203-Sn02的復(fù)合氧化物,以下稱為"ITO")膜,由于其可見光透射性高而且導(dǎo)電性高,所以作為透明...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。