技術(shù)編號(hào)：3402871
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施方式主要涉及在襯底上沉積材料的方法和裝置，尤其涉及，通過氣相沉積工藝沉積高介電常數(shù)的介電材料的方法和裝置。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體工藝、平板顯示工藝或其它電子器件工藝領(lǐng)域中，氣相沉積工藝對(duì)在襯底上沉積材料已具有重要的地位。隨著電子器件的幾何結(jié)構(gòu)不斷變小和器件密度的不斷增加，圖形的尺寸和高寬比變得更加嚴(yán)格，例如，需要考慮0.07μm的圖形尺寸和為10甚至更大的高寬比。因此，以形成這些器件的材料的保形沉積變得越來越重要。雖然傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積(CVD)已...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。