技術(shù)編號(hào):3399918
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器,尤指一種具有固態(tài)粒子源的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器。背景技術(shù) 一般的化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)是利用化學(xué)反應(yīng)的方式,在反應(yīng)器內(nèi)將反應(yīng)物(通常為氣體)生成固態(tài)的生成物,并沉積在芯片表面的一種薄膜沉積技術(shù)。而經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展,化學(xué)氣相沉積已儼然成為半導(dǎo)體制作工藝當(dāng)中,最重要且主要的薄膜沉積工具。舉凡所有半導(dǎo)體元件所需要的薄膜,不論是導(dǎo)體、半導(dǎo)體、或是介電材料,都可以借助化學(xué)氣相沉積法來(lái)進(jìn)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。