技術(shù)編號：3399803
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及濺射方法及其裝置，特別是，涉及以磁控管濺射方式在處理襯底上成膜規(guī)定薄膜的濺射方法及其裝置。背景技術(shù) 就磁控管濺射方式來說，在靶的后方，配置由交替改變極性的多磁鐵構(gòu)成的磁鐵裝配體，用這個(gè)磁鐵裝配體在靶的前方形成隧道狀的磁通，捕捉靶前方由電離了的電子和濺射而產(chǎn)生的二次電子，提高靶前方的電子密度，提高這些電子和導(dǎo)入真空室內(nèi)的稀有氣體的氣體分子的撞擊機(jī)率而能提高等離子密度。為此，有能提高成膜速度等的優(yōu)點(diǎn)，很好地利用在處理襯底上邊形成規(guī)定的薄膜。相反，就磁...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。