技術(shù)編號：3397898
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及采用化學機械拋光方法而拋光襯底的裝置。本發(fā)明還涉及化學機械拋光的方法。附圖說明圖1A到1E表示在半導體器件中形成掩埋金屬層的方法中的各個步驟。首先，如圖1A所示，包括制造在其上的有源器件的半導體襯底101完全用絕緣膜102覆蓋。然后，在絕緣膜102上形成具有某一圖形的抗蝕劑膜105，接著，用構(gòu)圖的抗蝕劑膜105作掩模腐蝕絕緣膜102，由此形成通透絕緣膜102的接觸孔106，如圖1B中所示。去掉抗蝕劑膜105之后，如圖1C所示，在絕緣膜102上淀積...
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