技術(shù)編號:3397690
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及利用氣相淀積法制造高質(zhì)量的氧化硅膜的方法。該氧化硅膜適合于作為半導(dǎo)體裝置的基底保護膜、柵絕緣膜、層間絕緣膜等。此外,本發(fā)明涉及通過例如在約800℃以下的較低的溫度下對半導(dǎo)體表面進行氧化以形成高質(zhì)量的極薄的氧化硅膜(膜厚約低于10nm)來制造高質(zhì)量的微細(xì)半導(dǎo)體裝置(例如,金屬-氧化膜-半導(dǎo)體型場效應(yīng)晶體管(MOSFET))的方法。此外,本發(fā)明涉及例如在約600℃以下的較低的溫度下制造高性能、高可靠性的半導(dǎo)體裝置(例如,薄膜晶體管)的方法。此外,本發(fā)...
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