技術(shù)編號(hào):3397148
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法,更詳細(xì)地說(shuō),涉及包含以Al或Al合金等的鋁為基體材料的布線層的干法刻蝕技術(shù)。近些年來(lái),為了得到低電阻值且具有良好的接觸性以及抗電遷徙能力,使用對(duì)Al或Al合金膜與金屬勢(shì)壘層進(jìn)行疊層后的、附圖說(shuō)明圖1所示構(gòu)造的布線層。布線層10形成于半導(dǎo)體襯底11上,該布線層10用Ti膜12,TiN膜13,Al或Al合金膜14,Ti膜15及TiN膜16的疊層膜構(gòu)成。在上述布線構(gòu)造中,由作為布線基體材料所使用的是Al或Al合金膜14,故可以得到...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。