技術(shù)編號(hào):3396694
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種薄膜生長(zhǎng)設(shè)備。更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及一種改進(jìn)的薄膜生長(zhǎng)設(shè)備,它包含一個(gè)等離子體源以及一個(gè)用于將由等離子體源產(chǎn)生的等離子體束引導(dǎo)到用作陽(yáng)極的一個(gè)熔爐中的導(dǎo)引線圈。利用等離子體的一般真空薄膜生長(zhǎng)設(shè)備通稱(chēng)為離子鍍膜設(shè)備和等離子體CVD設(shè)備。現(xiàn)有的離子鍍膜設(shè)備包括使用壓力梯度的等離子體源或采用電弧放電的HCD等離子體源的鍍膜設(shè)備。這樣的離子鍍膜設(shè)備包括有一個(gè)真空腔、一個(gè)等離子體束發(fā)生器(等離子體源)、一個(gè)熔爐以及一個(gè)導(dǎo)引線圈。真空腔裝有等離體束發(fā)生器...
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