技術(shù)編號(hào):3394966
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總的涉及材料淀積工藝,尤其是涉及用于將材料淀積于基片上定位裝置。相關(guān)技術(shù)討論半導(dǎo)體裝置部分是通過將不同材料淀積于一基片上而形成的。汽相淀積是眾所周知的一種將材料淀積于基片上的工藝。為了進(jìn)行汽相淀積,將基片安裝于真空室中的一定位裝置上。將待淀積材料置于真空室中的一支架上?;紫缺患訜幔缓笫蛊錈o源冷卻。在基片冷卻后,將待淀積材料加熱到足以使其汽化的高溫。汽化后的材料被吸到冷的基片上,在基片上形成一個(gè)涂層。在將基片拆離定位裝置之前再次使其無源冷卻。整個(gè)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。