技術編號：3384966
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。發(fā)明背景技術 領域本發(fā)明涉及半導體處理領域，更具體地是涉及沉積氧化膜的方法和裝置。背景技術 氧化硅(SiO2)膜及其二元和三元硅酸鹽(通常稱為氧化膜)廣泛應用在集成電路例如微處理器和存儲器的制造中。氧化膜用作多晶硅層、金屬層和多層金屬體系的各金屬層之間的絕緣體。氧化膜也可用作擴散源、擴散掩模、注入掩模、隔離層，以及最終的鈍化層。目前存在形成氧化膜的三種不同方法，即干氧化法(也稱為熱氧化法)、蒸汽氧化法和氧化沉積法。在干氧化法中，氧化膜在硅襯底上生長。在一個...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。