技術(shù)編號(hào):3377833
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種制備硅基薄膜太陽(yáng)電池的裝置,特別適用于制備非晶/微晶疊層硅基薄膜太陽(yáng)電池的設(shè)備。背景技術(shù)目前制備硅基薄膜太陽(yáng)能電池的裝置多為單室系統(tǒng),這種系統(tǒng)雖然結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但交叉污染較嚴(yán)重,不適合作非晶/微晶疊層電池,且太陽(yáng)能電池的硅基材料部分與導(dǎo)電電極部分不在同一系統(tǒng)中完成,當(dāng)硅基材料制造完成后,需要將材料取出,再放入另一裝置制備透明導(dǎo)電電極與金屬電極,容易引起材料表面氧化及空氣中的雜質(zhì)滲入,導(dǎo)致電池的光電轉(zhuǎn)換效率降低,所以有待改進(jìn)。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型...
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