技術(shù)編號:3361790
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種外延片制備方法,尤其涉及一種在P型襯底上制備N型外延層的 反型外延片的制備方法。背景技術(shù)反型外延片是指在P型襯底上制備N型外延層的外延片。目前,生產(chǎn)中采用的制備 工藝為當(dāng)爐溫達到800 95(TC用機械手將硅片放置在爐內(nèi),通以氫氣,氫氣流量一直保 持在20 80L/min的范圍內(nèi),然后升溫至1140 1150°C,烘烤后通以氯化氫,進行氣相拋 光;關(guān)閉氯化氫,通以三氯氫硅生產(chǎn)本征阻擋層;關(guān)閉三氯氫硅,用氫氣去除凈爐內(nèi)的雜質(zhì) 氣體后再次通入三氯...
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