技術(shù)編號:3360684
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于連續(xù)地形成多層膜的多層膜濺射設(shè)備,以及一種利用該多層膜濺射設(shè)備的多層膜形成方法。背景技術(shù)目前的硬盤中的垂直記錄介質(zhì)使用組成中含有諸如CoCrPt-SiA或者 CoCrPt-TiO2等氧化物的記錄層。將來,期望垂直記錄介質(zhì)具有諸如作為高Ku材料(High-Ku material)的Fe/Pt或Co/P等多層膜結(jié)構(gòu)。然而,在確保一周以上的維護周期的條件下,要求陰極單元具有若干個層,以實現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)。專利文獻1中公開了用于形成這種多層膜的濺射設(shè)...
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