技術(shù)編號：3360242
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請案主張2008年6月4日申請的美國專利申請案第12/132，758號的優(yōu)先權(quán)， 該案全文以引用的方式并入本文。背景技術(shù)集成電路裝置的按比例縮小已產(chǎn)生將高介電常數(shù)(即，高介電系數(shù))材料并入至 電容器和柵極的需要。對新的高介電常數(shù)材料和工藝的探求正變得越加重要，因為當(dāng)前技 術(shù)的最小尺寸實際上受到標(biāo)準(zhǔn)電介質(zhì)材料的使用的約束。五氧化二鉭(例如，Ta2O5)由于其高介電常數(shù)(例如，30)和低泄漏電流而作為用 于例如DRAM電容器等應(yīng)用的高介電系數(shù)材料已引起注意...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。