技術(shù)編號：3360182
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，用以同時(shí)磨削硅芯片等的薄板狀芯片的兩面。背景技術(shù)在采用了以例如直徑300mm為代表的大口徑硅芯片的先進(jìn)組件(device)中， 近年來被稱為納米形貌(納米級形貌(nanotopography))的表面起伏成分的大小成為問 題。納米形貌是芯片的表面形狀的一種，其波長較彎曲、翹曲短，且其波長較表面粗糙 度長，并且表示0.2 20mm的波長成分的凹凸；其PV值為0.1 0.2 μ m的極淺的起伏 成分。此納米形貌被認(rèn)為會(huì)影響組件工序中的淺溝槽隔離...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。