技術(shù)編號(hào)：3350909
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及包含電介質(zhì)材料的硅的形成中改進(jìn)的空隙填充沉積。 背景技術(shù)集成電路的制造工序通常包括幾個(gè)構(gòu)圖工藝。構(gòu)圖工藝可以限定一層諸如 已構(gòu)圖的金屬或多晶硅層的導(dǎo)體，或可以限定諸如溝槽(trench)的隔離結(jié)構(gòu)。在很多情況下，使用絕緣或電介質(zhì)材料填充溝槽。這種絕緣材料起到幾個(gè)功能。 例如，在一些應(yīng)用中，該材料用于將一個(gè)IC區(qū)域與另一個(gè)區(qū)域電絕緣，并且 電氣上鈍化溝槽表面。該材料也通常為構(gòu)造下一半導(dǎo)體層提供基底。在對(duì)襯底構(gòu)圖之后，已構(gòu)圖的材料是不平坦的。圖案的拓...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。