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技術(shù)編號(hào)：3292615

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本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅IGBT基板骨架真空壓力滲鋁裝置及雙面覆鋁方法。為了解決現(xiàn)有的碳化硅IGBT基板骨架覆鋁存在的覆鋁不均勻，鋁合金層存在細(xì)孔影響質(zhì)量等問(wèn)題，所述碳化硅IGBT基板骨架真空壓力滲鋁裝置包括置于真空壓力浸滲爐內(nèi)的陶瓷坩堝，設(shè)置在陶瓷坩堝底部的帶孔石墨板；裝在陶瓷坩堝內(nèi)的多塊碳化硅IGBT基板骨架和多塊不銹鋼陶瓷組合板；相鄰兩塊碳化硅IGBT基板骨架之間設(shè)有一塊與之平行布置的所述不銹鋼陶瓷組合板；所述陶瓷坩堝的側(cè)壁上開(kāi)有用于固定所述碳化硅IG...
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