技術(shù)編號(hào)：3288219
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在一些實(shí)施例中，基板處理設(shè)備可包括腔室主體；設(shè)置在腔室主體頂部的蓋；耦接至蓋的靶組件，該靶組件包括待沉積在基板上的材料靶；具有繞靶的外邊緣設(shè)置的內(nèi)壁的環(huán)形暗區(qū)屏蔽；鄰近暗區(qū)屏蔽的外邊緣設(shè)置的密封環(huán)；以及支撐構(gòu)件，該支撐構(gòu)件耦接至貼近支撐構(gòu)件的外端的蓋并徑向向內(nèi)延伸，以使支撐構(gòu)件支撐密封環(huán)和環(huán)形暗區(qū)屏蔽，其中支撐構(gòu)件在耦接至蓋時(shí)提供充分的壓縮以在支撐構(gòu)件與密封環(huán)和密封環(huán)與靶組件之間形成密封。專(zhuān)利說(shuō)明使等離子體暗區(qū)具有同心度的設(shè)備[0001 ] 本發(fā)明的實(shí)施例...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。