技術(shù)編號(hào):3281576
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶片研磨,特別是指一種利用磁場進(jìn)行加載的晶片研磨方法及裝置。背景技術(shù)化學(xué)機(jī)械研磨(CMP, Chemical Mechanical Polishing)通過磨粒-工件-加工環(huán)境之間的機(jī)械、化學(xué)作用,實(shí)現(xiàn)工件材料的微量去除,能獲得超光滑、少損傷的加工表面;力口工軌跡呈現(xiàn)多方向性,有利于加工表面的均勻一致性。而且CMP是目前唯一的可以提供在整個(gè)圓硅晶片上全面平坦化的工藝技術(shù),可在獲得超光滑表面的同時(shí),保證硅片的全局平面度。 化學(xué)機(jī)械研磨系統(tǒng)的基本組成...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。