技術(shù)編號:3269463
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及集成電路制造領(lǐng)域,尤其涉及一種直流磁控裝置轉(zhuǎn)速探測裝置及物理氣相沉積系統(tǒng)。背景技術(shù)物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)是指在真空條件下,采用物理方法,將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子,并通過低壓氣體或等離子體在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。物理氣相沉積的主要方法有真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜,及分子束外延等。物理氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單,對環(huán)境改...
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