技術(shù)編號：3264428
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于微電子領(lǐng)域，涉及ー種相變存儲材料，特別是涉及ー種用于相變存儲器的T1-Ge-Te系列材料。背景技術(shù)隨著便攜式電子產(chǎn)品的快速發(fā)展，市場對不揮發(fā)存儲器的需求急劇增長。作為目前主流的不揮發(fā)存儲技術(shù)，閃存在商業(yè)上取得了巨大的成功，它被廣泛地應(yīng)用在分立式和嵌入式芯片中。然而，其較長的擦寫時間和有限的擦寫次數(shù)，不能滿足未來技術(shù)發(fā)展的要求，而且由于自身物理機理上的限制，閃存單元尺寸的縮小遇到了很多的技術(shù)瓶頸。因此，人們都在積極尋求可替代閃存的新一代不揮發(fā)存儲器...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。