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技術(shù)編號(hào)：3262915

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本發(fā)明涉及以氧化鑭(La)為基礎(chǔ)成分，包含由鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)的一種或 兩種以上組成的添加氧化物的氧化鑭基燒結(jié)體、包含該燒結(jié)體的濺射靶、氧化鑭基燒結(jié)體 的制造方法及通過(guò)該制造方法制造濺射靶的方法。背景技術(shù)最近，作為下一代MOSFET中的柵絕緣膜，要求薄膜化，但是，迄今作為柵絕緣膜使 用的SiO2,通過(guò)隧道效應(yīng)造成漏電流增加，難以正常工作。因此，作為代替SiO2的材料，提出了具有高介電常數(shù)、高熱穩(wěn)定性、對(duì)硅中的空穴 和電子具有高能障的Hf02...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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