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技術(shù)編號：3254850

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本發(fā)明涉及氮化鎵材料的制備，具體涉及一種用ALD設(shè)備生長氮化鎵薄膜的方法。背景技術(shù)GaN材料的研究與應(yīng)用是目前半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，是LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)。GaN材料具有寬的直接帶隙，高的熱導(dǎo)率和擊穿電場，介電常數(shù)小，抗輻射能力強，且化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。在LED產(chǎn)業(yè)中，具有完整結(jié)構(gòu)的GaN材料及具有匹配的晶體常數(shù)直接影響到LED的性...
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