技術(shù)編號：3254170
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在基板上形成被膜的成膜裝置及其維護方法。本申請基于2010年06月25日于日本申請的特愿2010-145350號主張優(yōu)先權(quán)，在此援用其內(nèi)容。背景技術(shù)現(xiàn)在的太陽能電池中，單晶硅(Si)型和多晶硅型占據(jù)大半。但是，擔(dān)心Si的材料不足等，近年來，制造成本低且材料不足的風(fēng)險小的形成有薄膜Si層的薄膜太陽能電池的需求升高。進而，在現(xiàn)有型的僅a-Si (非晶硅)層的薄膜太陽能電池的基礎(chǔ)上，最近通過層積a-Si層與yc-Si (微晶硅)層從而實現(xiàn)轉(zhuǎn)換效率的提高...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。