技術(shù)編號(hào)：3252557
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及雙層復(fù)合薄膜的制備方法，尤其涉及制備鋁/氫化非晶硅碳合金雙層復(fù)合薄膜的方法。背景技術(shù) 多晶碳化硅薄膜材料同時(shí)具有單晶碳化硅材料的高遷移率及非晶碳化硅材料可大面積、低成本的優(yōu)點(diǎn)。因此，對(duì)于多晶碳化硅薄膜材料的研究越來(lái)越引起人們的關(guān)注。多晶碳化硅薄膜材料具有高的遷移率，最大可接近單晶碳化硅材料的遷移率，因此在一些半導(dǎo)體器件方面得到廣泛的應(yīng)用。如場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、二極管的發(fā)射極、電荷耦合器件的電極等。固相晶化法制備多晶碳化硅具有工藝簡(jiǎn)單，易操作的優(yōu)點(diǎn)，但...
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