技術(shù)編號(hào)：3249715
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。002本申請(qǐng)一般地涉及半導(dǎo)體處理裝置，且具體涉及用于輸送反應(yīng) 物氣體到處理腔室的設(shè)備。背景技術(shù)003化學(xué)氣相淀積(CVD)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中用于在諸如硅晶片的襯 底上形成材料薄膜的已知工藝。在CVD中，不同反應(yīng)物的反應(yīng)物氣體(在此也被稱(chēng)為"前體氣體")被輸送給反應(yīng)腔室中的一個(gè)或多個(gè)襯 底。在很多情況下，反應(yīng)腔室僅包括被支撐在襯底支架(諸如基座) 上的單個(gè)襯底，其中襯底和襯底支架被維持在期望的工藝溫度。反應(yīng) 物氣體彼此反應(yīng)以形成襯底上的薄膜，其中生長(zhǎng)率由溫度或反...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。