技術編號：3249551
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于半導體集成電路裝置制造步驟中的拋光技 術。更具體地說，本發(fā)明涉及一種用于含有二氧化硅類材料層的半導 體集成電路裝置的制造步驟中的拋光技術。背景技術隨著近來半導體集成電路裝置向更高集成度和更高功能性的發(fā) 展，需要開發(fā)用于實現(xiàn)微細化和高密度的微加工技術。具體地講，根據(jù)化學機械拋光法(以下稱為"CMP")的平坦化技術的重要性正在提高。例如，隨著半導體集成電路裝置的微細化或者布線的多層化發(fā)展， 在制造步驟中的各層表面上的凸凹(高度差)往往變大。為...
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