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技術(shù)編號(hào)：3248225

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本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種低壓化學(xué)氣相 淀積反應(yīng)系統(tǒng)。背景技術(shù)化學(xué)氣相淀積(CVD)是通過(guò)氣體混合后發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以在硅片表面 淀積膜層的工藝。通常，CVD反應(yīng)系統(tǒng)利用不同的設(shè)計(jì)，以生成具有質(zhì)量 差異的膜。根據(jù)反應(yīng)系統(tǒng)內(nèi)反應(yīng)腔室中壓力的不同，CVD反應(yīng)系統(tǒng)包含常 壓CVD ( APCVD )反應(yīng)系統(tǒng)和低壓CVD ( LPCVD )反應(yīng)系統(tǒng)。與APCVD相比， LPCVD反應(yīng)系統(tǒng)具有更低的成本、更高的產(chǎn)量及更好的膜性能，繼而得到 更為廣泛的應(yīng)用。實(shí)...
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