技術(shù)編號(hào):3211051
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于,具體涉及一種。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,涉及半導(dǎo)體器件外延生長新型襯底結(jié)構(gòu)的制備技術(shù)。背景技術(shù)由于常規(guī)襯底(Si、藍(lán)寶石等)與GaN外延層有不同的晶格失配和熱膨脹系數(shù),生長后在外延層會(huì)產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力。在某些領(lǐng)域,外延層中的應(yīng)力場不同程度地影響或者制約著半導(dǎo)體器件的性能。例如,發(fā)光二極管(LED)、場效應(yīng)管(TFT)等。異質(zhì)外延的應(yīng)力場成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的困擾問題之一。目前,科學(xué)研究者通過不同的途徑進(jìn)行應(yīng)力釋放,也 取得了突破性的進(jìn)展,在某些領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了商...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。