技術(shù)編號：3206388
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及使用活性助氣的激光加工。背景技術(shù) 已經(jīng)知道硅片襯底在SF6環(huán)境中進行蝕刻使得硅襯底的蝕刻清潔而光滑。此外，在激光加工過程中SF6的存在改進了材料去除過程的質(zhì)量和效率。然而，盡管這種氣體的存在有助于材料的去除，但是通常這使得激光加工不能夠以足夠高的生產(chǎn)速率進行制造加工。US 3679502說明了一種在SF6環(huán)境中被加熱到溫度在950至1250℃范圍內(nèi)的硅片襯底的非定域蝕刻方法。在這樣高溫下產(chǎn)生的氟自由基對硅表面進行以產(chǎn)生光滑清潔的表面。在US 38...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。