技術(shù)編號(hào):2977666
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種芯片刻蝕設(shè)備,具體涉及一種芯片刻蝕設(shè)備的下電極頂針。 背景技術(shù)在芯片刻蝕設(shè)備中,需要在工藝腔中設(shè)置下電極頂針,該下電極頂針作為晶片在 腔體間傳送過程中上下頂放元晶的轉(zhuǎn)送部件?,F(xiàn)有的下電極頂針采用樹脂材質(zhì)。由于晶片在工藝傳送過程中會(huì)產(chǎn)生物理磨損, 而在Dry clean (干洗)模式下Plasma (等離子體)也會(huì)對(duì)下電極頂針造成消耗,因此現(xiàn)有 的下電極頂針極易被磨損,而由于下電極頂針損耗的不平均又會(huì)導(dǎo)致腔體工藝時(shí)背壓報(bào)警 頻發(fā)。實(shí)用新型內(nèi)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。