技術(shù)編號：2968668
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及一種場發(fā)射電子源器件。背景技術(shù)目前人們使用、研究的場發(fā)射電子源主要包括金屬微尖(Spindt微尖)、金屬—絕緣層—金屬(MIM)以及包括金屬—絕緣層—半導(dǎo)體(MOS)三種結(jié)構(gòu)。其中MIM結(jié)構(gòu)如圖4所示，具有驅(qū)動電壓低(小于20V)，發(fā)射電流的發(fā)散角度小，對真空度的要求低等等優(yōu)點，但是存在發(fā)射電流密度低，而且效率低(控制柵極電流遠(yuǎn)高于發(fā)射電流)等缺陷，這些缺點主要是由于高質(zhì)量絕緣層難以獲得，導(dǎo)致柵極的漏電流高；MOS結(jié)構(gòu)的電子源類似于MIM結(jié)構(gòu)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。