技術(shù)編號(hào)：2924568
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及特別是用于半導(dǎo)體晶片制造的高密度等離子體發(fā)生裝置、系統(tǒng)和處理。更具體而言，本發(fā)明涉及用于為這樣的系統(tǒng)和處理產(chǎn)生高密度電感耦合等離子體(ICP)的天線和屏蔽結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 氣體等離子體發(fā)生被廣泛地用于各種集成電路(IC)制造處理中，這些制造處理包括等離子體刻蝕、等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)和等離子體濺射沉積應(yīng)用。通常，通過下述方式在處理室內(nèi)產(chǎn)生等離子體，即通過在真空壓力下將處理氣體引入到處理室中并接著將電能耦合到處理室中以在處理氣體中產(chǎn)生...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。