技術(shù)編號(hào)：2908740
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于等離子體加工設(shè)備領(lǐng)域，涉及一種磁控管及應(yīng)用該磁控管的等離子體加工設(shè)備。背景技術(shù)直流磁控濺射技術(shù)是制備半導(dǎo)體集成電路的常用技術(shù)，其是在低氣壓下使氣體電離形成等離子體，然后借助靶材表面的磁場(chǎng)使等離子體中的帶電粒子撞擊靶材表面，以使靶材發(fā)生濺射，在濺射粒子中，中性的靶原子沉積在晶片等被加工工件表面而形成薄膜。圖1為典型的磁控濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖。如圖1所示，磁控濺射設(shè)備包括反應(yīng)腔室1、真空泵2以及氣體源4。其中，真空泵2與反應(yīng)腔室I的底部連通，用以調(diào)節(jié)反...
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