技術編號：2907659
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造，更為具體的，本發(fā)明涉及一種PECVD裝置及利用PECVD裝置形成半導體器件的形成方法。背景技術目前,在半導體器件的后段(back-end-of-line, BE0L)工藝中，制作半導體集成電路時，當半導體器件形成之后，需要在半導體器件層之上形成金屬互連層。其中，每層金屬互連層包括金屬互連線和絕緣材料層，這就需要對上述絕緣材料層制造溝槽和連接孔，然后在上述溝槽和連接孔內(nèi)沉積金屬，沉積的金屬構(gòu)成金屬互連線，一般選銅作為金屬互連線材料。絕緣...
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