技術(shù)編號：2893996
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及饋送在半導(dǎo)體的離子植入中所用的離子源的氣體反應(yīng)腔室，且更明確 地說，涉及將氣態(tài)材料轉(zhuǎn)化成用于離子束產(chǎn)生的特定氣體饋送材料(例如，分子氣體材料 轉(zhuǎn)化成其它分子或原子種類)的氣體反應(yīng)腔室。背景技術(shù)離子植入為集成電路(IC)制造中的關(guān)鍵使能技術(shù)。在邏輯和存儲器IC的制造 中，將離子植入到襯底中以形成晶體管結(jié)，所述襯底由(例如)硅和GaAs晶片形成。還植 入離子以對Pn結(jié)的阱區(qū)進行摻雜。通過改變離子的能量，可控制離子植入到襯底中的植入 深度，從而允許對由...
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