技術(shù)編號：2861311
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型提出了一種刻蝕設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，設(shè)置于反應(yīng)腔室內(nèi)部的電子卡盤，設(shè)置于反應(yīng)腔室內(nèi)頂部的頂盤，設(shè)置于頂盤上的徑向線槽天線，徑向線槽天線與電子卡盤相對并保持預(yù)定距離，設(shè)置于反應(yīng)腔室頂部的電感耦合電源，設(shè)置于電子卡盤底部的偏置電源；由于添加了電感耦合電源以及偏置電源，在進(jìn)行SWP技術(shù)刻蝕時(shí)，還能夠轉(zhuǎn)化使用電感耦合等離子體技術(shù)進(jìn)行刻蝕，從而能夠根據(jù)不同的選擇來解決LWR不可控的問題，能夠通過對偏置電源的調(diào)節(jié)來控制器件密集區(qū)和器件稀疏區(qū)的不同刻蝕程度，并能...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。