技術(shù)編號：2841111
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及一種可有效降低真空等離子體腔室，尤其是等離子體刻蝕腔室，因密封圈老化而引入的塵粒的腔體構(gòu)造。背景技術(shù)真空等離子腔室在半導(dǎo)體及TFT行業(yè)應(yīng)用非常普遍，設(shè)備包括成膜、刻蝕、干法剝離等裝置。真空腔室的構(gòu)造普遍如下圖I所示。其中，真空腔室由上下兩個腔體組成，在下腔體腔壁的中間有一凹槽，在凹槽中有一密封圈，當上下兩個腔體壓合時，密封圈能起到很好的密封作用，如圖2所示。但是，當密封圈使用一段時間后(尤其在高溫或等離子體環(huán)境下)，會產(chǎn)生較多塵粒。尤其當腔室...
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