技術(shù)編號：2818611
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉及一種。 背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)中，在進行離子注入等工藝之前，需要先利用光刻工藝在硅片表面形成 所需圖形，然后再根據(jù)形成的圖形進行離子注入等。圖1為現(xiàn)有光刻工藝的實現(xiàn)過程示意 圖。如圖1所示，包括以下步驟步驟101 對硅片表面進行清洗、脫水和成膜處理。清洗包括濕法清洗和去離子水沖洗，以去除硅片表面的污染物，如顆粒、有機物以 及工藝殘余等；脫水致干烘培在一個封閉腔內(nèi)完成，以去除硅片表面的大部分水汽；脫水 后立即用六甲基二硅胺烷(HM...
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