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用于無氮化硅的硅濕蝕刻的耐堿性負(fù)性光刻膠的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2816039

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本發(fā)明涉及用于制造微電子器件(例如用于微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)的微電子 器件)的新光刻膠?,F(xiàn)有技術(shù)說明硅蝕刻工藝中常在硅基材上使用薄(100-300納米)氮化硅或二氧化硅涂層 作為圖案化蝕刻的掩模或者作為鈍化層以密封活性電路。在現(xiàn)有技術(shù)中,已經(jīng) 主要通過使用試差法對(duì)用于MEMS制造過程的蝕刻保護(hù)涂層或掩模進(jìn)行了選 擇,原因是市場上沒有通用的保護(hù)涂層。MEMS工藝師常使用蝕刻劑對(duì)各種材 料的蝕刻選擇性作為指導(dǎo)。氮化硅膜的蝕刻速率比硅低得多,所以已經(jīng)使用氮 化硅...
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