技術(shù)編號(hào)：2794393
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝，特別是涉及一種。背景技術(shù)半導(dǎo)體工業(yè)中有多種方法確定最佳光刻曝光和劑量條件，用以認(rèn)證特定的各級掩膜和工藝。最常用的光刻方法是聚焦與曝光量矩陣(FEM)和工藝窗口認(rèn)證(PWQ)。通常，根據(jù)在柏桑(Bossimg)圖上分析CD測量結(jié)果，聚焦與曝光量矩陣(FEM)用每一芯片的少數(shù)幾個(gè)位置確定最佳劑量和焦距。即使這是光刻優(yōu)化的良好起點(diǎn)，得到的信息也局限于事先確定的芯片特定位置，沒有有關(guān)芯片其它位置圖形受何影響的信息。這樣，即使在...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。