技術(shù)編號：2793830
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正(Optical Proximity Correction, 0PC)工藝模型的建模方法。背景技術(shù)現(xiàn)有光學(xué)鄰近效應(yīng)修正(0PC, Optical Proximity Correction)的過程中，需要采集大量的光刻原始數(shù)據(jù)來建立的工藝模型，該工藝模型包括光刻后工藝模型、或者刻蝕后工藝模型。現(xiàn)有中采集大量的光刻原始數(shù)據(jù)的方法為對于每個特征圖形，采用在同一片硅片不同的曝光單元，測量其光刻...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。