技術(shù)編號(hào)：2791189
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種將非晶硅結(jié)晶成多晶硅的方法以及光刻掩膜，且特別涉及一種將非晶硅結(jié)晶成多晶硅的方法及使用于此方法之光刻掩膜。背景技術(shù) 近年來，因應(yīng)高效能平面顯示器及其面板整合電路的需求，多晶硅薄膜低溫結(jié)晶技術(shù)已被廣泛的研究，其中，以準(zhǔn)分子激光結(jié)晶(Excimer LaserCrystallization)為目前主流之結(jié)晶技術(shù)。順序橫向固化(Sequential lateral solidification，SLS)結(jié)晶技術(shù)為準(zhǔn)分子激光結(jié)晶之改良，是由原有之準(zhǔn)分...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。