技術(shù)編號：2788668
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于生產(chǎn)半導體器件的電子束曝光系統(tǒng)、用于電子束曝光的掩膜和電子束曝光方法。更具體的，本發(fā)明涉及一種適合用于鄰近效應修正的電子束曝光系統(tǒng)、用于電子束曝光的掩膜和用于電子束曝光的方法。在電子束曝光中，由于在保護層和基片中的散射電子產(chǎn)生的鄰近效應會大大的影響圖形線寬精度。因此，鄰近效應修正就成為了一種重要的技術(shù)因素。在作為最為流行的電子束曝光方法的單元投射刻蝕技術(shù)中，已經(jīng)使用了劑量補償方法，其需要使用曝光強度分布(EID)函數(shù)通過自-相容(self...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。