技術(shù)編號：2785488
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在對半導(dǎo)體晶片上進(jìn)行電子束曝光(EB曝光)的技術(shù)中用于電子束曝光且其中鄰近效應(yīng)校正方法被改進(jìn)的掩模、制造該掩模的方法和利用該掩模制造半導(dǎo)體器件的方法，特別涉及用于一種用于電子束曝光的掩模，該掩模優(yōu)選地用作投影曝光裝置的模版(stencil)掩模，其上形成有相應(yīng)于一個(gè)芯片的整個(gè)或部分圖形，以及制造該掩模的方法和利用該掩模制造半導(dǎo)體器件的方法。附圖說明圖1是展示EB投影曝光裝置的電子光學(xué)元件的圖。在該EB投影曝光裝置中，彼此平行地設(shè)置具有形成在電子束...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。